特許
J-GLOBAL ID：200903077477363260

基板処理装置

発明者：
吉野 昭仁

吉野 昭仁 について


出願人/特許権者：
国際電気株式会社

国際電気株式会社 について


代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240327
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068214
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。【解決手段】 多系統ノズル型CVD装置は、反応管37と、ノズル43、44,45と、ガス供給系32とを有する。反応管37は、反応ガスを使って半導体デバイスのウェーハに所定の薄膜を形成するための密閉された反応空間を形成する。ノズル43、44,45は、成膜処理を行う場合、反応ガスを反応空間34に出力する。ガス供給系32は、成膜処理を行う場合は、ノズル43、44,45に反応ガスを供給し、成膜処理によってノズル43、44,45の内壁に堆積した反応生成物を除去する場合は、ノズル43、44,45にクリーニングガスを供給する。
請求項（抜粋）：
反応ガスを使って固体デバイスの基板に所定の処理を施すための密閉された反応空間を形成する反応空間形成手段と、ガス入力口とガス出力口とを有し、前記基板に前記所定の処理を施す場合、前記ガス入力口に供給される前記反応ガスを前記ガス出力口から前記反応空間に出力する反応ガス出力手段と、前記基板に前記所定の処理を施す場合は、前記反応ガス出力手段の前記ガス入力口に前記反応ガスを供給し、前記反応ガス出力手段の内部をクリーニングする場合は、前記ガス入力口にクリーニングガスを供給するガス供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J
Fターム (24件)：
4K030DA01 ,  4K030EA03 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045DP19 ,  5F045EB06 ,  5F045EC02 ,  5F045EC08 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EE18 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045GB07 ,  5F045HA13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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