特許
J-GLOBAL ID：200903077480418237
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-345972
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244136
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【構成】半導体基板4上にシリコン酸化膜5を介して例えばゲ-ト電極2を形成するに際し、このゲ-ト電極2を複数の多結晶シリコン層6の積層体で構成する。ゲ-ト電極2の部分は、非晶質層の堆積工程とこの非晶質材料の結晶化(再結晶化)工程とを有する薄膜の製造方法により形成する。この際、1回に成膜する非晶質層の厚さが不良事象に応じて決定される臨界応力値によって規定される厚み以下であるように非晶質層の堆積を複数回に分割して行い、各非晶質層の堆積工程後毎に非晶質材料を結晶化させ、かつ非晶質層堆積工程と非晶質材料結晶化工程を繰り返すことにより必要な膜厚の多結晶層6の積層構造体を得る。【効果】半導体装置の電気特性の劣化と、層間剥離,層内での割れ等の不良を防止し、かつ多結晶材料層の積層により、所望厚さで小粒径の多結晶層が得られる。
請求項（抜粋）：
導電性の薄膜を有する半導体装置において、前記薄膜の少なくとも一部は膜厚方向に分割されて積層構造を成し、かつ分割による各層の主成分は同一元素又は同一化合物であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/205
, H01L 29/784
