特許
J-GLOBAL ID：200903077484964953
絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174269
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196500
出願日： 1991年05月16日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 新規な構造のTFTを提案する。【構成】 TFTの構造において、ゲイト電極の側面にはゲイト電極を構成する材料の陽極酸化膜が設けられ、ソース、ドレイン領域に接続する電極は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面に接しており、前記ソース、ドレインに接続された電極は前記ゲイト電極の上方に設けられた絶縁膜の上方にまでわたって延在している構造を持ち、その作製工程においては3枚のマスクで完成できる絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であって、ゲイト電極の側面付近にはゲイト電極を構成する材料の絶縁膜が設けられ、ソース、ドレイン領域に接続する電極は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面とに接しており、前記ソース、ドレインに接続された電極は前記ゲイト電極の上方に設けられた絶縁膜にまでわたって延在していることを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 G
