特許

J-GLOBAL ID：200903077486252314

フィールドプレート延長部分を備えたFETを使用するスイッチモード電力増幅器及び電界効果トランジスタ

発明者： スコット シェパード
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-522992
公開番号（公開出願番号）：特表2009-514267
出願日： 2006年07月19日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

スイッチモード電力増幅器及びスイッチモード電力増幅器で使用するのに特に適した電界効果トランジスタが開示される。トランジスタは、ソース端子とドレイン端子とを有し、ゲート端子がそれらの端子の間の誘電体材料の上に位置付けされている化合物高電子移動度トランジスタ(HEMT)であることが好ましい。フィールドプレートは、少なくとも2つの層の誘電体材料上でゲート端子からドレインの方に延びている。誘電体層は、好ましくは、シリコン酸化物及びシリコン窒化物を含んでいる。シリコン酸化物の第3の層が設けられ、シリコン窒化物の層がシリコン酸化物の層の間に位置付けされてもよい。ゲート端子の凹部をエッチングする際に、エッチング選択性が使用される。

請求項（抜粋）：

より高い周波数用途のスイッチモード電力増幅器であって、 a)化合物半導体基板を備え、ソース端子とドレイン端子とゲートコンタクトとを有し、誘電体が前記ゲートコンタクトと前記化合物半導体基板を隔てている電界効果トランジスタと、 b)制御端子に結合された信号入力端子と、 c)第2の端子に導電的に結合された電力端子と、 d)第1の端子に結合された接地端子と、 e)前記第2の端子を出力端子に結合する共振回路と、 f)前記出力端子を前記接地端子に結合する抵抗とを備え、 入力信号は、前記電界効果トランジスタの伝導を制御し、前記第2の端子は、前記電界効果トランジスタが導通して電力源から前記第2の端子への電流が増加するとき、接地に結合され、前記電界効果トランジスタがオフになったとき、電源からの電流は、前記電界効果トランジスタの内部キャパシタンスに向けられ、前記第2の端子の電圧を最大値に上昇させてから減少し、前記第2の端子の電圧は、前記共振回路を通して前記出力端子に結合されていることを特徴とするスイッチモード電力増幅器。

IPC (4件)：

H03F 3/217 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H03F3/217 ,  H01L29/80 H

Fターム (37件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC15 ,  5J500AA01 ,  5J500AA24 ,  5J500AA41 ,  5J500AC36 ,  5J500AF16 ,  5J500AH09 ,  5J500AH12 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AH39 ,  5J500AK13 ,  5J500AK29 ,  5J500AK47 ,  5J500AM21 ,  5J500AQ02 ,  5J500AS14 ,  5J500AT01 ,  5J500WU08

引用特許：

出願人引用 (8件)

• 同時出願米国特許出願第11/132,619号明細書
  
• 米国特許第6,316,793号明細書
  
• 米国特許第6,586,781号明細書
  
• 米国特許第6,548,333号明細書
  
• 米国特許第5,192,987号明細書
  
• 米国特許第5,296,395号明細書
  
• 米国特許出願公開第2002/0167023号明細書
  
• 米国特許出願公開第2003/0020092号明細書
  

審査官引用 (4件)

• 集積型の同調可能で高能率な電力増幅器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-508587   出願人：イノベイティブ・テクノロジー・ライセンシング・エルエルシー
• 特開平4-207803
  
• 特許第3499235号
  
• 特表平6-505844