特許
J-GLOBAL ID:200903077488248322
正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法、並びに正孔注入輸送層形成用インク
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
岸本 達人
, 山下 昭彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-109732
公開番号(公開出願番号):特開2009-290204
出願日: 2009年04月28日
公開日(公表日): 2009年12月10日
要約:
【課題】製造プロセスが容易でありながら、長寿命を達成可能なデバイスを提供する。【解決手段】基板上に対向する2つ以上の電極と、そのうちの2つの電極間に配置された正孔注入輸送層を有するデバイスであって、前記正孔注入輸送層が、少なくとも遷移金属酸化物を含む遷移金属化合物及び遷移金属と保護剤とを含むか、又は、少なくとも遷移金属酸化物を含む遷移金属化合物と保護剤とを含む遷移金属含有ナノ粒子を含有することを特徴とする、デバイスである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に対向する2つ以上の電極と、そのうちの2つの電極間に配置された正孔注入輸送層を有するデバイスであって、
前記正孔注入輸送層が、少なくとも遷移金属酸化物を含む遷移金属化合物及び遷移金属と保護剤とを含むか、又は、少なくとも遷移金属酸化物を含む遷移金属化合物と保護剤とを含む遷移金属含有ナノ粒子を含有することを特徴とする、デバイス。
IPC (3件):
H01L 51/50
, H05B 33/10
, C09K 11/06
FI (5件):
H05B33/22 C
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/22 D
, C09K11/06 690
Fターム (15件):
3K107AA01
, 3K107CC21
, 3K107CC45
, 3K107DD71
, 3K107DD72
, 3K107DD73
, 3K107DD78
, 3K107DD79
, 3K107DD84
, 3K107DD87
, 3K107FF00
, 3K107FF15
, 3K107FF18
, 3K107GG06
, 3K107GG28
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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