特許

J-GLOBAL ID：200903077496419004

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松田 明浩 ,  長野 能久 ,  上本 康裕 ,  藤井 英治
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-365265
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251554
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 高い誘電率を有する誘電体を用いた半導体素子における誘電体の劣化を防止する。【解決手段】 上部電極20の周囲に疑似上部電極23を設けて誘電体膜25の露出範囲を制限し、誘電体膜25の表面に蓄積される電荷29の量を減少させる。誘電体膜の帯電を抑制することにより、エッチングイオン30が受ける反発力を低下させて、上部電極20の下方の誘電体膜(容量絶縁膜となる部分に相当する部分)へのエッチングイオンの衝突を防止する。これによって、半導体素子の誘電体膜の劣化が抑制される。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された下部電極、前記下部電極上に形成された第1の誘電体および前記第1の誘電体上に形成された上部電極を含む容量素子と、前記基板上に形成された疑似下部電極、前記疑似下部電極上に形成された第2の誘電体および前記第2の誘電体上に形成された疑似上部電極を含む疑似容量素子とを含み、前記上部電極と前記疑似上部電極との間隔が0.3μm〜14μmとなるように前記疑似容量素子を配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-138082   出願人：松下電子工業株式会社