特許

J-GLOBAL ID：200903077522318998

Si基板上の光電融合デバイス構造及びその製造方法

発明者： 内田 護
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136515
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332229
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】Si上に立方晶のIII-VN材料を積層し、その上にIII-V材料の化合物半導体デバイスを作製する技術である。【解決手段】光電融合デバイス構造は、電子デバイス202を持つ(100)面を有するSiウエハ201上に、選択成長用マスク203が形成され、第1のIII-V材料204を成膜したあと、第1のIII-V材料204より格子定数の長い第2のIII-VN材料及び第1のIII-V材料より格子定数の短い第3のIII-VN材料から成る多層薄膜205が歪み補償されながら積層され、その間、選択成長用マスク203上を横方向成長することで選択的に成膜された第4のIII-VN材料結晶を有し、且つ第4のIII-VN材料結晶上に化合物半導体光デバイス206〜209を有する。第4のIII-VN材料結晶は、第1のIII-V材料204とほぼ等しい格子定数を有する。

請求項（抜粋）：

電子デバイスの形成された(100)面を有するSiウエハ上に、選択成長用マスクが形成され、Siとは格子定数の異なる或はSiとほぼ等しい格子定数の第1のIII-V材料から成る薄膜を成膜したあと、該第1のIII-V材料より長い格子定数を有する第2のIII-VN材料及び第1のIII-V材料より短い格子定数を有する第3のIII-VN材料から成る多層薄膜が歪み補償されながら積層され、その間、前記選択成長用マスク上を横方向成長することで選択的に成膜された、前記第1のIII-V材料とほぼ等しい格子定数を有する第4のIII-VN材料結晶を有し、且つ該第4のIII-VN材料結晶上に積層された化合物半導体光デバイスを有することを特徴とするSi基板上の光電融合デバイス構造。

IPC (6件)：

H01L 27/15 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/02 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/323

FI (6件)：

H01L 27/15 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/02 A ,  H01S 3/18 652 ,  H01S 3/18 673

Fターム (49件)：

4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118FC03 ,  4M118FC06 ,  4M118FC15 ,  4M118FC18 ,  4M118FC20 ,  5F045AA05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB19 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AB05 ,  5F073AB13 ,  5F073AB14 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CA13 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB09 ,  5F073DA05 ,  5F088AA03 ,  5F088AB07 ,  5F088BA15 ,  5F088CB04 ,  5F088EA02 ,  5F088EA09 ,  5F088JA03 ,  5F088KA08 ,  5F088LA01 ,  5F088LA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒素を含む化合物半導体多層膜ミラー及びそれを用いた面型発光デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-223083   出願人：キヤノン株式会社
• 化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072205   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Nラジカルを用いたGaInNAsのガスソースMBE成長とレーザー特性