特許
J-GLOBAL ID：200903063696634588
化合物半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072205
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326749
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 窒素とともに少なくとももう1つのV族元素を含むIII-V族化合物半導体の混晶層を分子線エピタキシャル成長させる場合に、結晶性を低下させることなく高窒素組成の混晶層を得ることができる化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体の製造方法においては、原料分子の平均自由工程が基板と分子線源との間の距離より大きくなるように真空排気された結晶成長室内で原料分子線を基板に照射することによって窒素とともに少なくとももう1つのV族元素を含むIII-V族化合物半導体結晶が成長させられ、その際に窒素原料として窒素化合物が用いられ、その窒素化合物の分子は基板の表面に到達した後に分解して窒素原子のみが半導体結晶中に取込まれることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
原料分子の平均自由工程が基板と分子線源との間の距離より大きくなるように真空排気された結晶成長室内で原料分子線を基板に照射することによって窒素とともに少なくとももう1つのV族元素を含むIII-V族化合物半導体結晶が成長させられるときに、窒素の原料として窒素化合物が用いられ、前記窒素化合物の分子は前記基板の表面に到達した後に分解して窒素原子のみが前記半導体結晶中に取込まれることを特徴とする化合物半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
