シリコンに高アスペクト比の異方性エッチングを行う方法および機器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：川口義雄 , 一入章夫 , 小野誠 , 大崎勝真 , 坪倉道明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-560972
公開番号（公開出願番号）：特表2005-515631
出願日： 2002年12月31日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

本発明によれば、真空生成機器6、7によって低圧に維持されている空気5を含む室1内に収容された基板2をプラズマエッチング処理する。プラズマ生成手段8は、基板2の表面2aに作用するプラズマ9を生成する。エッチング方法は、エッチングガス源19から生成されたエッチングガスを用いたプラズマエッチング工程、不動態化ガス源20から生成された不動態化ガスを用いた第2のプラズマ不動態化工程とそれに続く、洗浄プラズマガス源21から生成された洗浄プラズマガスの作用による選択的なプラズマパルス脱不動態化工程を含む交互の連続する工程を基板2に受けさせることにあり、洗浄プラズマガスが、空洞2bの底部ゾーンのポリマをエッチングガスより効率的に除去し、それによって、速度が速く、基板2を保護するマスクに関して良好な選択性を有しながら、30より大きなアスペクト比を有する空洞2bの形成を可能にする。

請求項（抜粋）：

シリコンを非等方的にエッチングする方法において、マスク(2c)によって一部を保護されたシリコン基板(2)が、マスク(2c)によって保護されていない基板ゾーンに空洞(2b)を作るための、エッチングガスのプラズマを用いた侵食工程(a)、および、侵食工程から生ずる空洞(2b)の壁上に保護ポリマ(2f)を堆積させるための、不動態化ガスのプラズマを用いた不動態化工程(b)の交互の連続した工程を受ける方法であって、保護ポリマ(2f)の堆積物が、空洞(2b)の底部ゾーン(2g)から保護ポリマ(2f)を除去してエッチングガスより効率的である、洗浄ガスのプラズマの作用を受ける、選択的な脱不動態化パルス工程(c)をさらに含むことを特徴とする方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 105A

Fターム (12件)：

5F004BA04 , 5F004BB18 , 5F004CA01 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004EB01

引用特許：

審査官引用 (3件)

プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-000466 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭60-154622
半導体基盤の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-206672 出願人：サーフィステクノロジーシステムズリミテッド

前のページに戻る