特許
J-GLOBAL ID：200903077533520195
半導体装置の突起電極構造およびその突起電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-029088
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221107
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置において、突起電極形成が技術的に困難なウェット方式の電解メッキ法を用いず、ドライ方式である薄膜形成技術を用いて突起電極を形成することができるようにする。【構成】 基板1のアルミ電極3およびパッシベーション膜4の上に、下地金属層5を形成する。この下地金属層5の上にポリイミド等の有機材料による有機膜6を塗布して、アルミ電極3の上方部だけ残るようにパターンニングすることで、有機膜突起8を形成する。次に、この有機膜突起8を加熱して、側面が傾斜するテーパー面となった有機突起物9を形成する。さらに、この有機突起物9を覆うように導電性金属材料により導電材薄膜層11を形成するとともに、この導電材薄膜層11を下地金属層5に接続する。そして、有機突起物9の周囲だけ残るようにパターンニングすることで、突起電極13を形成する。
請求項（抜粋）：
下地金属層の上に突起電極を備えた半導体装置の突起電極構造であって、前記下地金属層の上に形成した有機材料による有機膜突起と、この有機膜突起を覆うように導電性材料により形成して前記下地金属層に接続した導電材薄膜層と、からなる前記突起電極を備えたことを特徴とする半導体装置の突起電極構造。
FI (3件)：
H01L 21/92 D
, H01L 21/92 C
, H01L 21/92 F
