特許

J-GLOBAL ID：200903077539948090

電界制御磁性素子及び電界制御磁気メモリ素子

発明者： 牧 英之 ,  佐藤 徹哉
出願人/特許権者： 学校法人慶應義塾
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-072031
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250811
出願日： 2006年03月16日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】 電界制御磁気素子及び電界制御磁気メモリ素子に関し、常磁性元素の強磁性化或いは強磁性元素の常磁性化を室温において電気的に制御する。【解決手段】 電極1/絶縁膜2/遷移金属からなる導電体層3の積層構造を有するとともに、導電体層3に絶縁膜2を介して電圧を印加してフェルミ準位の位置を移動させることによって、常磁性-強磁性遷移或いは強磁性-常磁性遷移を制御する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電極/絶縁膜/遷移金属からなる導電体層の積層構造を有するとともに、前記導電体層に絶縁膜を介して電圧を印加してフェルミ準位の位置を移動させることによって、常磁性-強磁性遷移或いは強磁性-常磁性遷移を制御することを特徴とする電界制御磁性素子。

IPC (4件)：

H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (3件)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L27/10 447

Fターム (25件)：

4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119BB20 ,  4M119CC09 ,  4M119DD05 ,  4M119DD33 ,  4M119DD44 ,  4M119EE04 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AB08 ,  5F092AC11 ,  5F092AC24 ,  5F092AC25 ,  5F092AD24 ,  5F092BB03 ,  5F092BB04 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB41 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD23