特許

J-GLOBAL ID：200903077560738569

ダイヤモンドpn接合ダイオードおよびその作製方法

発明者： 竹内 大輔 ,  山中 貞則 ,  渡辺 幸志 ,  大串 秀世 ,  長谷川 雅考 ,  小倉 政彦 ,  小林 直人 ,  梶村 皓二
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  科学技術振興事業団
代理人 (2件)： 福田 武通 (外3名) ,  福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244883
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068687
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 イオン注入法を用いてpn接合を実現し、ダイヤモンド半導体を電子デバイスとして活用できるようにする。【解決手段】 この発明のダイヤモンドpn接合体20は、基板11上に形成したp型ダイヤモンド薄膜層21と、このp型ダイヤモンド薄膜層21上に高品質アンドープダイヤモンド薄膜層22iを形成し、その高品質アンドープダイヤモンド薄膜層22iに不純物をイオン注入してなるn型ダイヤモンド薄膜層23と、を備えることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成したダイヤモンドpn接合ダイオードにおいて、上記基板上に形成したp型ダイヤモンド薄膜層と、上記p型ダイヤモンド薄膜層上に高品質アンドープダイヤモンド薄膜層を形成し、その高品質アンドープダイヤモンド薄膜層に不純物をイオン注入してなるn型ダイヤモンド薄膜層と、を備えることを特徴とするダイヤモンドpn接合ダイオード。