特許
J-GLOBAL ID:200903077565409288
絶縁膜用樹脂組成物、コーティングワニス、絶縁膜及びそれらを用いた半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-078917
公開番号(公開出願番号):特開2004-006269
出願日: 2003年03月20日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】優れた耐熱性を維持し、低誘電率化を可能とする絶縁膜用樹脂組成物、コーティングワニス、絶縁膜、およびこれを用いた半導体装置を提供することにある。【解決手段】主鎖構造内に熱分解性の繰返し単位を有する特定構造のポリアミドを必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物。また、前記絶縁膜用樹脂組成物と、該絶縁膜用樹脂組成物を溶解もしくは分散させることが可能な有機溶媒からなるコーティングワニス、及びこれらを用いて、加熱処理して縮合反応及び架橋反応せしめて得られるポリベンゾオキサゾールを主構造とする樹脂の層からなり、且つ、微細孔を有してなる絶縁膜、並びに前記絶縁膜を用いた半導体装置である。
請求項(抜粋):
一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミドを必須成分とすることを特徴とする絶縁膜用樹脂組成物。
IPC (5件):
H01B3/30
, C08G69/44
, C08G73/22
, H01L21/312
, H01L21/768
FI (8件):
H01B3/30 C
, H01B3/30 M
, H01B3/30 Q
, C08G69/44
, C08G73/22
, H01L21/312 A
, H01L21/90 S
, H01L21/90 V
Fターム (66件):
4J001DA03
, 4J001DB03
, 4J001DB04
, 4J001DB05
, 4J001DC03
, 4J001EB35
, 4J001EB36
, 4J001EB37
, 4J001EB44
, 4J001EB46
, 4J001EB55
, 4J001EB64
, 4J001EB65
, 4J001EB67
, 4J001EB69
, 4J001EC44
, 4J001EC54
, 4J001EC74
, 4J001ED61
, 4J001ED63
, 4J001ED64
, 4J001ED65
, 4J001FA01
, 4J001FB05
, 4J001FC05
, 4J001JA17
, 4J001JB38
, 4J043PA05
, 4J043QB34
, 4J043RA05
, 4J043RA52
, 4J043SA06
, 4J043SA71
, 4J043UA121
, 4J043UA122
, 4J043UA131
, 4J043UA132
, 4J043UA142
, 4J043UA151
, 4J043UA152
, 4J043UA171
, 4J043UA241
, 4J043UA242
, 4J043UA262
, 4J043UB021
, 4J043UB051
, 4J043UB121
, 4J043UB131
, 5F033RR21
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033XX24
, 5F058AA10
, 5F058AC10
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
, 5F058AH03
, 5G305AA07
, 5G305AA11
, 5G305AB10
, 5G305AB24
, 5G305BA09
, 5G305BA18
, 5G305CA20
, 5G305CA32
引用特許:
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