特許

J-GLOBAL ID：200903077567820015

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 弓削 省三 ,  渡邊 実
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207177
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078768
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、レーザ共振器の端面に反射膜を有してなる半導体レーザ素子およびその製造方法において、特性が安定で、信頼性が高く、しかも簡易な製造プロセスにより得ることができるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、特定の面方位をもつp型GaAs基板11上に、矩形状の開口部13を設けてSiO2 膜12を形成する。そして、その開口部13内に露出する上記p型GaAs基板11の表面に、MOCVD法によるプレーナ方向への選択成長によりダブルヘテロ接合構造部14を形成する。また、このダブルヘテロ接合構造部14の形成に連続して、その周面に、MOCVD法によるラテラル方向への選択成長により多層反射膜15を形成する。このように、一回のMOCVD法により連続して形成されるダブルヘテロ接合構造部14および多層反射膜15を有した構成となっている。

請求項（抜粋）：

特定の面方位をもつ半導体基板と、この半導体基板上に設けられた矩形状開口部を有する誘電体膜と、この誘電体膜の前記開口部より露出する前記半導体基板の表面に形成されてなるダブルヘテロ接合構造部と、このダブルヘテロ接合構造部の側面に形成された少なくとも一つ以上の高抵抗層からなる反射膜とを具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-025544   出願人：富士通株式会社
• 特開昭58-110087
  
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-236646   出願人：シヤープ株式会社