特許
J-GLOBAL ID:200903077568792830

半導体装置の製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-086621
公開番号(公開出願番号):特開平6-302548
出願日: 1993年04月14日
公開日(公表日): 1994年10月28日
要約:
【要約】【目的】取り扱いに支障のあるガスを用いることなく精度の良いAl合金膜からなる配線を形成できる装置を提供する。【構成】ドライエッチング装置のチャンバ1内にカーボン製の上部電極2を設ける。この結果、Al合金膜のエッチング中に供給されるカーボンがAl合金膜の側壁の保護を行う。
請求項(抜粋):
チャンバと、このチャンバ内に設けられ半導体基板を載置する下部電極と、この下部電極に対向して設けられた上部電極とを有する半導体装置の製造装置において、前記チャンバ内に固体カーボンを設けたこと特徴とする半導体装置の製造装置。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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