特許
J-GLOBAL ID:200903077591463789
刺激供給機能およびそれに基づく物理現象または化学現象の検出機能を有するマルチプローブ
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (5件):
鈴木 崇生
, 梶崎 弘一
, 尾崎 雄三
, 谷口 俊彦
, 今木 隆雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-153721
公開番号(公開出願番号):特開2005-334066
出願日: 2004年05月24日
公開日(公表日): 2005年12月08日
要約:
【課題】 対象物に特定の刺激を与え、それに基づく物理現象または化学現象を把握することが可能なマルチプローブを提供すること目的とする。【解決手段】 半導体基板1を下地として結晶成長させた突起(プローブ)を複数有するマルチプローブであって、刺激供給機能を有するプローブ2aおよびそれに基づく物理現象または化学現象の検出機能を有するプローブ2bを構成要素の一部とすることを特徴とする。また、前記刺激供給機能を有するプローブ2aの近接位置に、少なくとも1以上の前記検出機能を有するプローブ2bを配することを特徴とする。さらに、前記刺激供給機能を有するプローブ2aから所定の距離に、複数の前記検出機能を有するプローブ2bを配することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板を下地として結晶成長させた突起(プローブ)を複数有するマルチプローブであって、刺激供給機能を有するプローブおよびそれに基づく物理現象または化学現象の検出機能を有するプローブを構成要素の一部とすることを特徴とするマルチプローブ。
IPC (5件):
A61B5/0408
, A61B3/00
, A61B5/0478
, A61B5/0492
, G01N27/30
FI (4件):
A61B5/04 300J
, A61B3/00 Z
, G01N27/30 A
, G01N27/30 F
引用特許:
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