特許
J-GLOBAL ID：200903077593386455

光電変換装置およびその製造方法

発明者：
反田 真之

反田 真之 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-111141
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288529
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】基板上形成した下部電極層の表面で反射する光を散乱させて再び光電変換層に入る光の光路を長くするために下部電極層を凹凸化する際に凹凸電極の剥離を防ぐ。【構成】従来数百nmないし数μmあった凹凸電極の平均膜厚を250nm以下とすることにより、応力が緩和されて下部電極の剥離やそれに伴う短絡の発生が防止できる。このような薄い膜厚でも、成膜時の基板温度を300°C以上450°C以下とすることにより、最適の凹凸表面形状をもつ金属膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
可撓性で絶縁性の基板上に下部電極層、光電変換半導体層および透明上部電極層が順次積層された光電変換装置において、下部電極層の表面形状が凹凸であり、その平均厚さが250μm以下であることを特徴とする光電変換装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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