特許

J-GLOBAL ID：200903077633288648

プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置

発明者： 松永 浩一 ,  本川 寛
出願人/特許権者： 株式会社ハイデン研究所
代理人 (1件)： 原田 信市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-285112
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056647
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】 基材の表面改質因子であるラジカルの発生量の増加、プラズマの発生量の増加、プラズマの低温下、基材へ向かうアーク放電の防止を図る。【解決手段】 ケーシング1内のガス流路15に沿って形成されたコロナ放電電極2から、ケーシングの周壁を対向電極として多数のコロナ放電を同時に発生させて多数のラジカルを生成するとともに、ケーシング内のアーク放電電極17に対してケーシングの噴射口6を対向電極として間欠的にアーク放電させて、そのアーク放電によりプラズマの電荷をケーシングへバイパスさせ、ラジカルを多く含む低電位かつ低温のプラズマにして噴射する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ケーシング内にガスを送入し、ケーシング内における前段のコロナ放電と後段のアーク放電でプラズマとしてケーシングの噴射口から噴射するプラズマ発生方法であって、前記ケーシング内のガス流路に沿って形成されたコロナ放電電極から、ケーシングの周壁を対向電極として多数のコロナ放電を同時に発生させて多数のラジカルを生成するとともに、ケーシング内のアーク放電電極に対してケーシングの噴射口を対向電極として間欠的にアーク放電させて、そのアーク放電によりプラズマの電荷を前記ケーシングへバイパスさせ、ラジカルを多く含む低電位かつ低温のプラズマにして噴射することを特徴とするプラズマ発生方法。

IPC (5件)：

H05H1/34 ,  B01J19/08 ,  H05B7/18 ,  H05H1/24 ,  H05H1/36

FI (5件)：

H05H1/34 ,  B01J19/08 E ,  H05B7/18 E ,  H05H1/24 ,  H05H1/36

Fターム (20件)：

3K084AA07 ,  3K084AA12 ,  3K084BC08 ,  4G075AA03 ,  4G075AA22 ,  4G075AA30 ,  4G075AA37 ,  4G075BA05 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075CA17 ,  4G075CA18 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075EE02 ,  4G075EE06 ,  4G075FA01 ,  4G075FB04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プラズマノズル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-206589   出願人：アグロダインホックスパヌングステクニックゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• プラズマノズル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-543080   出願人：プラズマトリートゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング