半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-042893
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237372
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】高周波数帯から低周波数帯に亘る信号を処理する複数の内部回路(IC)の正・負の静電気による静電破壊を保護する。【解決手段】高周波数帯で動作する内部回路には、寄生容量が小さく、電源電圧以上の入力信号が印加されても誤動作しないダイオード接続した複数のトランジスタによる多段接続の保護回路を組み込み、低周波数帯で動作する内部回路には一つのダイオード接続のトランジスタによる保護回路を組み込む。保護回路は正・負の静電気によっても内部回路を保護する電流の流れる方向相互に逆になる2系統の保護回路構成になっている。

請求項（抜粋）：

信号をそれぞれ処理する複数の内部回路を有し、上記各内部回路にそれぞれ接続される信号線及び電源線並びに接地線を有する半導体集積回路装置であって、上記各内部回路の上記信号線と上記電源線間に接続され、静電破壊保護時に上記電源線から上記信号線に向かって電流が流れる第1の保護回路と、上記各内部回路の上記信号線と上記接地線間に接続され、静電破壊保護時に上記信号線から上記接地線に向かって電流が流れる第2の保護回路と、上記各内部回路の上記信号線と上記電源線間に接続され、静電破壊保護時に上記信号線から上記電源線に向かって電流が流れる第3の保護回路と、上記各内部回路の上記信号線と上記接地線間に接続され、静電破壊保護時に上記接地線から上記信号線に向かって電流が流れる第4の保護回路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

Fターム (5件)：

5F038BH04 , 5F038BH06 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

静電保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335071 出願人：ミツミ電機株式会社
特開昭59-050559

審査官引用 (2件)

静電保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335071 出願人：ミツミ電機株式会社
特開昭59-050559

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