特許

J-GLOBAL ID：200903077645394060

ドライエッチング方法

発明者： 橋本 敏己
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326226
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148313
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 シリコン酸化膜をマスクとし、フッ素と塩素の混合ガス等でエッチングを行うと、大面積でかつ深いトレンチを高選択度、高異方性、高エッチングレートで製造することが困難である。【解決手段】 感光性ポリイミド膜12をマスクとし、エッチングガスにSF6とCl2 の混合ガスを用い、Cl2 の流量が総ガス流量の3〜9%とし、かつエッチングガス圧力を50mTorr〜200mTorrの範囲に制御し、しかもエッチング中のイオンエネルギ(Vppの値)を0.62KV以下に制御することで、シリコン基板11の表面に大面積でかつ深いトレンチ13を高選択度、高異方性、高エッチングレートで製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板のエッチングにより形成されるトレンチのドライエッチング方法において、感光性ポリイミド膜をエッチングマスクとして使用し、エッチングガスとしてフッ素と塩素の混合ガス、フッ素化合物と塩素化合物の混合ガス或いはそれぞれの混合ガスに不活性ガスを混合したガス系を用いることを特徴とするシリコン基板のドライエッチング方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-250779   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭53-084564
  
• 特開昭59-103337