特許
J-GLOBAL ID：200903077651287896
DRAMアレイのリフレッシュ速度を調節するためのオンチップ温度センサーを含むメモリシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 光夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-370124
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255467
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 温度に応じてリフレッシュ速度を調節するためのオンチップ温度センサーを含むDRAM。【解決手段】 メモリ半導体チップ上に温度センサーが配置され、このセンサーが半導体チップの温度を示す信号を発生する。制御回路は、温度センサーから信号を受信し、これに応じて、リフレッシュ回路のリフレッシュ速度を制御するためのリフレッシュ速度信号を生成する。一の実施形態では、制御回路にROMの参照テーブルを組み合わせて、このテーブルに、特定の幾つかの温度に対して望ましいリフレッシュ速度を示す複数の項目を入れる。半導体チップの温度に依存するリフレッシュ速度を制御することにより、性能を最適化できるとともに、各メモリセルの適性な状態保持を確実とする。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを含むメモリアレイ;前記メモリアレイに接続され、且つ、前記複数のメモリセルをリフレッシュするように構成されたリフレッシュ回路;温度を示す温度信号を発生する温度センサー;及び前記温度センサーおよび前記リフレッシュ回路に接続され、且つ、前記温度センサーによって発生された前記温度信号に依存するリフレッシュ速度信号を生成するように構成された制御回路;を備えたメモリ回路であって、前記リフレッシュ回路が、前記リフレッシュ速度信号に依存して前記複数のメモリセルの前記リフレッシュの速度を変化させるように構成されたメモリ回路。
引用特許：
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