特許

J-GLOBAL ID：200903077664427832

結晶成長方法

発明者： 原 明人 ,  北原 邦紀
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271223
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115831
出願日： 1995年10月19日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】アモルファスシリコン(a-Si)からポリシリコン(p-Si)への固相成長方法に関し、固相成長或いはレーザアニールにより形成されたポリシリコン膜中の不純物を低減させる。【解決手段】アモルファスシリコン膜2を加熱し、固相成長させて形成したポリシリコン膜2a中に存在する結晶欠陥5を選択的にエッチングする工程を含む。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン膜を加熱し、固相成長させて形成したポリシリコン膜中に存在する結晶欠陥を選択的にエッチングする工程を含むことを特徴とする結晶成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-233305   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所