レジスト塗布現像装置、および下層反射防止膜のエッジカット方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276876
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102287
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】本発明は半導体ウェハ上に形成される下層反射防止膜のエッジをカットするレジスト塗布・現像装置に関し、その下層反射防止膜のエッジをウェハの全周において均一な幅で精度良くカットすることを目的とする。【解決手段】半導体ウェハ1をスピンチャック2上に保持させる。半導体ウェハ1の表面に有機系の下層反射防止膜を形成する。半導体ウェハ1を回転させながらLED3を発光させ、その光をCCDセンサ4で検出させることにより、半導体ウェハ1のエッジ位置をその全周にわたって検知する。半導体ウェハ1を回転させながら、溶剤ノズル6によって半導体ウェハのエッジ部分に向けて有機溶剤を噴射させる。有機溶剤の噴射中は、溶剤ノズル6の位置と半導体ウェハ1のエッジ位置とが常に一定の関係となるように、上記の如く検知したエッジ位置の情報に基づいて溶剤ノズル6の位置を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの表面に形成された下層反射防止膜のエッジを全周にわたって所定の幅でカットする機能を有するレジスト塗布現像装置であって、半導体ウェハをその中心軸回りで回転させ得るスピンチャックと、前記半導体ウェハの径方向に移動し得ると共に、前記半導体ウェハに向けて溶剤を噴射し得る溶剤ノズルと、前記スピンチャックに保持されている半導体ウェハのエッジ位置を、その全周にわたって検知するためのエッジ位置センサと、前記スピンチャックを回転させながら前記溶剤ノズルから溶剤を噴射させると共に、前記溶剤ノズルの位置と前記半導体ウェハのエッジ位置とが常に一定の関係となるように、前記エッジ位置センサにより検知されたエッジ位置の情報に基づいて前記溶剤ノズルの位置を制御する制御装置と、を備えることを特徴とするレジスト塗布・現像装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503 , G03F 7/16 502 , G03F 7/30 502

FI (5件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/16 502 , G03F 7/30 502 , H01L 21/30 577 , H01L 21/30 574

Fターム (19件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025DA34 , 2H025EA01 , 2H025EA05 , 2H025FA14 , 2H096AA00 , 2H096AA25 , 2H096CA06 , 2H096CA14 , 2H096CA20 , 2H096GA29 , 2H096GA31 , 2H096GA32 , 5F046JA02 , 5F046JA09 , 5F046JA15 , 5F046JA27 , 5F046PA07

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-011726
特開平2-284415
レジスト洗浄除去用溶剤および電子部品製造用基材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-019510 出願人：富士フイルムオーリン株式会社

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