特許
J-GLOBAL ID：200903077722600809

薄膜電極の製造方法

発明者：
岸岡 真也

岸岡 真也 について


出願人/特許権者：
国立大学法人長岡技術科学大学

国立大学法人長岡技術科学大学 について


代理人 (1件)： 芳村 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-012113
公開番号（公開出願番号）：特開2008-181906
出願日： 2007年01月23日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の(100)配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記(100)配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。導電性薄膜は、金属又は金属酸化物、特に貴金属又は貴金属酸化物により構成することが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
へき開性を有する単結晶状態の(100)配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記(100)配向面を剥離することを特徴とする薄膜電極の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/285 ,  C23C 14/14 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  C30B 29/16 ,  C30B 23/08
FI (9件)：
H01L21/285 Z ,  C23C14/14 D ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/10 ,  C23C14/24 S ,  C23C14/34 S ,  C30B29/16 ,  C30B23/08
Fターム (49件)：
3K107AA01 ,  3K107CC25 ,  3K107CC45 ,  3K107DD12 ,  3K107DD13 ,  3K107DD16 ,  3K107DD21 ,  3K107DD22 ,  3K107DD26 ,  3K107DD27 ,  3K107DD42X ,  3K107DD42Y ,  3K107DD45X ,  3K107DD45Y ,  3K107DD46X ,  3K107DD46Y ,  3K107GG04 ,  3K107GG05 ,  4G077AA03 ,  4G077BA01 ,  4G077BB10 ,  4G077DA11 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FF01 ,  4G077FG14 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA05 ,  4G077SB01 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA05 ,  4K029BA43 ,  4K029BC03 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB03 ,  4K029DB05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029GA05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104DD31 ,  4M104EE02 ,  4M104EE18 ,  4M104HH08
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 薄膜電極及びその形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-052388   出願人：グンゼ株式会社
  • 剥離方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-300373   出願人：セイコーエプソン株式会社

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