特許

J-GLOBAL ID：200903077729718066

半導体装置およびその製造方法

発明者： 一之瀬 一仁 ,  油谷 明栄
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-345349
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156716
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】アルミ配線層間をタングステンプラグによって電気的に接続する構成において、スルーホール内面全面にバリアメタル層が形成され、タングステンプラグとアルミ配線層との電気的接続の信頼性が高く、接触抵抗が低い半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】スルーホール9の内面にチタン膜10および窒化チタン膜11の2層構造で構成されるバリアメタル層を形成する。なお、チタン膜10および窒化チタン膜11は、層間絶縁膜7の主面上にも形成される。このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜11をアモルファス金属膜とすることが可能となる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

多層配線構造を有する半導体装置であって、 半導体基板上に配設された多層配線層と、 前記多層配線層のうち、アルミ配線層で構成される下層配線層と上層配線層との間に配設された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜を貫通し、前記下層配線層と前記上層配線層とを電気的に接続するコンタクト部と、を備え、 前記コンタクト部は、 前記層間絶縁膜を貫通して前記下層配線層上に到達するスルーホールと、 前記スルーホールの内面に沿って配設されたバリアメタル層と、 前記バリアメタル層で規定される前記スルーホール内に充填されたタングステンプラグとを有し、 前記バリアメタル層は、アモルファス金属膜を含む、半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/768 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320

FI (6件)：

H01L21/90 A ,  C23C14/34 R ,  C23C16/06 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 S ,  H01L21/88 R

Fターム (56件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA17 ,  4K029BA23 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029CA13 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029GA03 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030HA04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104DD08 ,  4M104DD38 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN12 ,  5F033PP17 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX02 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-108551   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ