特許
J-GLOBAL ID：200903014455427181
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-108551
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303881
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の配線層間の電気的接続の信頼性を向上する。【解決手段】 アルミニウム配線20を覆う絶縁膜21に、アルミニウム配線20の上面と側面とが露出するようにスルーホール22aを形成する。そして、スルーホール22aの側面及び底部上に窒化チタン膜23を指向性スパッタリング法を用いて形成する。このとき、スルーホール22aから露出するアルミニウム配線20の側面が、スパッタリング工程で使用される窒素ガスにより窒化されて、窒化アルミニウム部分31が形成される。それから、スルーホール22aを埋めるようにタングステン膜をCVD法を用いて形成し、絶縁膜21上の不要なタングステン膜と窒化チタン膜23を除去して、タングステンプラグ24を形成する。その後、タングステンプラグ24が埋め込まれた絶縁膜21上に上層アルミニウム配線25を形成する。
請求項（抜粋）：
基板、前記基板上に形成された第1の絶縁膜、アルミニウムを主成分とする導電体膜を有し、前記第1の絶縁膜上に形成された配線、前記配線を覆うように前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜、前記配線の上面と側面とが露出するように、前記第2の絶縁膜に形成されたスルーホール、前記スルーホール内で露出する前記配線の側面に形成された窒化アルミニウム部分、前記スルーホールの側面及び底面上に形成された窒化金属膜、および前記スルーホールを埋めるタングステンプラグ、を具備することを特徴とする半導体装置。
Fターム (25件)：
5F033HH08
, 5F033HH18
, 5F033HH33
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033KK08
, 5F033KK25
, 5F033MM08
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033NN12
, 5F033PP04
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ90
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033XX09
, 5F033XX15
