特許

J-GLOBAL ID：200903077734146682

マイクロ波集積回路受動素子構造および信号伝搬損失を低減する方法

発明者： アドルフォ・シー・レイス
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206759
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064770
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板を用い、既存のGaAs基板に匹敵する信号伝搬特性を有する受動素子構造および、信号伝搬損失を低減するマイクロ波集積回路のための方法を提供する。【解決手段】 受動素子(10)はシリコン基板(14)上に絶縁層(12)を有する。絶縁層(12)上に、信号線(18)と接地平面(20)とを含む金属層(16)を配し、金属層(16)の少なくとも一部を、絶縁層(12)内の少なくとも1つの開口(22,24)を通じて基板(14)と接触させる。シリコン基板(14)は、2,000オーム-cmより高い固有抵抗を有し、受動素子(10)は、500MHzより高い周波数の信号を搬送することが好ましい。金属層(16)の下にある基板(14)の表面における電荷密度を大幅に低下させたので、受動素子(10)における信号損失は最少に抑えられる。一例では、受動素子(10)は、共通平面導波伝送線である。

請求項（抜粋）：

シリコン基板(14)上に形成され、信号を搬送するための受動素子(10)を有するマイクロ波集積回路であって:前記受動素子が:前記基板上にあり、第1開口(22)を有する絶縁層(12);および前記絶縁層上にある金属層(16)であって、前記第1開口を通じて前記基板に少なくとも一部が接触する前記金属層;から成ることを特徴とするマイクロ波集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01P 3/02

FI (2件)：

H01L 27/04 F ,  H01L 27/04 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-297103
  
• 特公昭45-027940
  
• 高周波発振器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-358365   出願人：日産自動車株式会社

審査官引用 (3件)

• 高周波発振器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-358365   出願人：日産自動車株式会社
• 特開平4-297103
  
• 特公昭45-027940