特許
J-GLOBAL ID：200903077750335584
Al系III-V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III-V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-106102
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303774
出願日： 2002年04月09日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】III族としてAlを含むIII-V族化合物半導体を、気相エピタキシー法で結晶成長させる方法にて、Alとハロゲン化水素とを、700°C以下の温度で反応させることで、反応容器である石英と激しく反応する塩化アルミニューム(AlCl)、臭化アルミニューム(AlBr)の発生を抑制した。このことで100ミクロン/hour以上の速度のAl系III-V族化合物半導体気相成長が可能となり、基板や耐劣悪環境半導体素子が量産できるようになった。【課題】Alを含むIII-V族化合物半導体を従来のHVPE法で結晶成長させる場合にて、石英と反応する塩化アルミニューム(AlCl)、臭化アルミニューム(AlBr)の発生を抑制すること。【解決手段】Alとハロゲン化水素とを、700°C以下の温度で反応することで、上記課題を解決した。
請求項（抜粋）：
III族としてAlを含むIII-V族化合物半導体を、気相エピタキシー法で結晶成長させる方法において、固体Alとハロゲン化水素とを、700°C以下の温度で反応させ、Alのハロゲン化物を生成する工程を有することを特徴としたAl系III-V族化合物半導体の気相成長方法
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
4K030AA03
, 4K030AA17
, 4K030BA02
, 4K030BA38
, 4K030CA04
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 4K030KA02
, 4K030KA49
, 4K030LA14
, 5F045AA03
, 5F045AB09
, 5F045AC13
, 5F045AD11
, 5F045AD14
, 5F045AE29
, 5F045AF03
, 5F045BB09
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DQ08
, 5F045EK06
, 5F045EK30
