特許

J-GLOBAL ID：200903077750547360

非晶質シリコンカーバイド層の製造方法及びこれを用いた光起電力装置

発明者： 能口 繁 ,  佐野 景一 ,  岩多 浩志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156694
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326423
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 高光導電率と大きな光学的バンドギャップを有する非晶質シリコンカーバイド層を形成する方法を提供するとともに、これを利用した光起電力装置を提供する。【構成】 従来高い光導電率が得られるとされる形成条件で成膜した膜厚100Å以下の薄い非晶質シリコンカーバイド膜に、水素又は不活性ガスによるプラスマ処理を施し、斯る成膜とプラズマ処理を複数回繰り返すことにより非晶質シリコンカーバイド層(2)を形成する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法による膜厚100Å以下の非晶質シリコンカーバイド膜を形成した後該非晶質シリコンカーバイド膜に水素ガス又は不活性ガスによるプラズマ処理を施す工程を含むことを特徴とする非晶質シリコンカーバイド層の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-197117
  
• 特開平1-281720
  
• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-064329   出願人：シャープ株式会社