特許

J-GLOBAL ID：200903077755490030

浮動ゲート記憶セルに記憶された電圧を読み取る方法

発明者： ヒュー・ヴァン・トラン
出願人/特許権者： インフォメーション・ストレジ・デバイシーズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130884
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003598
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 読取りモードにおいて、セルをネガティブ・フィードバック・モードにおける線形領域で使用し、セルの閾値によってセル電流が線形に変わる線形化記憶セルを提供すること。【解決手段】 等価能動MOS抵抗の両端にセル電流を流すことによって、セル閾値電圧に線形に依存したセル読出し電圧を達成する。

請求項（抜粋）：

ソース、ゲート、浮動ゲートおよびドレンを有する浮動ゲート記憶セルに記憶された電圧を読み取る方法において、(a)浮動ゲート記憶セルのソース、ゲートおよびドレンに基準電圧を印加するステップと、(b)浮動ゲート記憶セルを通過する電流に比例して変動する出力を供給するステップとを備えている方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 高分解能アナログ記憶EPROM及びフラッシュEPROM
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-515299   出願人：インボイス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 特開昭58-215793
  
• 電圧調整器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-325653   出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ

審査官引用 (4件)

• 高分解能アナログ記憶EPROM及びフラッシュEPROM
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-515299   出願人：インボイス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 特開昭58-215793
  
• 特開昭58-215793
  
• 電圧調整器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-325653   出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ