特許

J-GLOBAL ID：200903077764443401

高強度薄壁ハニカム構造体

発明者： 池島 幸一 ,  市川 結輝人
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-087704
公開番号（公開出願番号）：特開平11-277653
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】 薄壁化したハニカム構造体のアイソスタティック強度と耐熱衝撃性をバランス良く向上させ、ハニカム構造体の外周壁及ぴ角部の損傷を防止することができる高強度薄壁ハニカム構造体を提供する。【解決手段】 複数のセル通路3を有するハニカム構造体1である。ハニカム構造体1を構成するセル隔壁3の基本セル隔壁2bの厚さ(tc)がtc≦0.11mm、外壁4の厚さ(ts)がts≧0.2mmであり、基本セル隔壁2bの厚さ部分の開口率が80%以上であるとともに、最外周セル隔壁2aの厚さ(tr)と基本セル隔壁2bの厚さ(tc)及び外壁4の厚さ(ts)が、以下の関係を有する。0.7≦tc/tr≦0.90.3≦tr/ts≦0.7

請求項（抜粋）：

複数のセル通路を有するハニカム構造体であって、該ハニカム構造体を構成するセル隔壁の基本セル隔壁厚さ(tc)がtc≦0.11mm、外壁厚さ(ts)がts≧0.2mmであり、該基本セル隔壁厚さ部分の開口率が80%以上であるとともに、最外周セル隔壁厚さ(tr)と該基本セル隔壁厚さ(tc)及び該外壁厚さ(ts)が、以下の関係を有することを特徴とする高強度薄壁ハニカム構造体。0.7≦tc/tr≦0.90.3≦tr/ts≦0.7

IPC (4件)：

B32B 3/12 ,  B01D 53/86 ZAB ,  B01J 35/04 301 ,  B01J 35/04

FI (5件)：

B32B 3/12 Z ,  B01J 35/04 301 F ,  B01J 35/04 301 K ,  B01J 35/04 301 P ,  B01D 53/36 ZAB C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-110189
  
• ハニカム構造体成形用ダイス及びハニカム構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-276916   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭62-234552