特許
J-GLOBAL ID：200903077804179486
波長変換素子用薄膜基板の製造方法および波長変換素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-031322
公開番号（公開出願番号）：特開2005-221894
出願日： 2004年02月06日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】 大面積にわたって均一な組成と、膜厚を有する波長変換素子用薄膜基板を製造する。【解決手段】 二次非線形光学効果を有する材料からなり、周期的な分極反転構造を有する第1基板21と、第2基板22とを熱処理による拡散接合によって貼り合わせる第1工程と、第1基板21を、光導波路を形成するための所定の厚さに研磨する第2工程と、第1基板21と第3基板23とを熱処理による拡散接合によって貼り合わせる第3工程とを備えた。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
二次非線形光学効果を有する材料からなり、周期的な分極反転構造を有する第1基板と、第2基板とを熱処理による拡散接合によって貼り合わせる第1工程と、
前記第1基板を、光導波路を形成するための所定の厚さに研磨する第2工程と、
前記第1基板と第3基板とを熱処理による拡散接合によって貼り合わせる第3工程と
を備えたことを特徴とする波長変換素子用薄膜基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
2K002AA02
, 2K002AB12
, 2K002BA01
, 2K002CA02
, 2K002CA03
, 2K002DA06
, 2K002FA27
, 2K002HA19
