特許

J-GLOBAL ID：200903077809592942

光導波路、光波長変換素子及びその製造方法、並びにそれらを使用した短波長光発生装置、光情報処理装置、コヒーレント光発生装置、光学システム

発明者： 水内 公典 ,  山本 和久 ,  北岡 康夫 ,  横山 敏史
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083005
公開番号（公開出願番号）：特開2001-194694
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 導波路型の光波長変換素子における高効率化と耐光損傷強度の向上とを実現して、出力の安定化を図る。【解決手段】 光導波路が、非線形光学結晶と、該非線形光学結晶の表面の近傍に形成された第1のイオン交換領域と、該第1のイオン交換領域の表面の近傍に形成された第2のイオン交換領域と、を備え、該第2のイオン交換領域は、該第1のイオン交換領域よりも高い屈折率を有し、該第2のイオン交換領域の屈折率分布がステップライクなグレーディッド形状を有している。

請求項（抜粋）：

非線形光学結晶と、該非線形光学結晶の表面の近傍に形成された第1のイオン交換領域と、該第1のイオン交換領域の表面の近傍に形成された第2のイオン交換領域と、を備え、該第2のイオン交換領域は、深さ方向にイオン交換率が変化している領域が、0.02〜0.2μmである、光導波路。

IPC (5件)：

G02F 1/377 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  G11B 7/135

FI (5件)：

G02F 1/377 ,  G11B 7/135 A ,  G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 J

Fターム (22件)：

2H047KA04 ,  2H047KA13 ,  2H047LA00 ,  2H047LA02 ,  2H047PA12 ,  2H047PA13 ,  2H047QA03 ,  2K002AA01 ,  2K002AA04 ,  2K002AB12 ,  2K002CA03 ,  2K002DA06 ,  2K002EA04 ,  2K002FA24 ,  2K002FA28 ,  2K002HA20 ,  5D119AA01 ,  5D119AA43 ,  5D119HA64 ,  5D119JA29 ,  5D119JA36 ,  5D119NA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光導波路とその製造方法、この光導波路を用いた光波長変換素子、短波長光発生装置および光ピックアップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-148729   出願人：松下電器産業株式会社