特許
J-GLOBAL ID：200903077810949838

多層配線基板および半導体装置

発明者：
高野 昭仁

高野 昭仁 について

, 
飯島 隆廣

飯島 隆廣 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-291329
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101243
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子からの熱放散性を向上させ、発熱量の大きな半導体素子を搭載可能として信頼性の高い多層配線基板、半導体装置を提供する。【解決手段】 金属からなるコア基板12に配線層26を積層して形成した多層配線基板10において、基板の外面に接合して取り付けられる放熱板40が接合される部位の内層に、前記コア基板12から柱状に連結して、前記放熱板40とコア基板12とを熱的に連結するサーマルビア16が設けられている。また、コア基板12と半導体素子30とを熱的に連結するサーマルビア18が設けられている。
請求項（抜粋）：
金属からなるコア基板に配線層を積層して形成した多層配線基板において、基板の外面に接合して取り付けられる放熱板が接合される部位の内層に、前記コア基板から柱状に連結して、前記放熱板とコア基板とを熱的に連結するサーマルビアが設けられていることを特徴とする多層配線基板。
IPC (6件)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/05 ,  H05K 1/18
FI (7件)：
H05K 3/46 U ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 501 B ,  H05K 1/02 F ,  H05K 1/05 Z ,  H05K 1/18 L ,  H01L 23/12 J
Fターム (45件)：
5E315AA05 ,  5E315AA11 ,  5E315BB01 ,  5E315CC15 ,  5E315DD15 ,  5E315DD17 ,  5E315DD25 ,  5E315GG01 ,  5E336AA04 ,  5E336BB03 ,  5E336BB15 ,  5E336BB19 ,  5E336CC32 ,  5E336CC55 ,  5E336GG03 ,  5E338AA03 ,  5E338AA18 ,  5E338BB05 ,  5E338BB12 ,  5E338BB25 ,  5E338BB63 ,  5E338BB71 ,  5E338BB75 ,  5E338CC01 ,  5E338CC08 ,  5E338CD02 ,  5E338CD11 ,  5E338EE02 ,  5E346AA03 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA41 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB20 ,  5E346CC10 ,  5E346CC31 ,  5E346DD02 ,  5E346DD31 ,  5E346EE33 ,  5E346FF12 ,  5E346FF45 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346HH17
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-165943   出願人：株式会社東芝
  • 配線基板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-372671   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-304938   出願人：株式会社日立製作所

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