特許
J-GLOBAL ID：200903077824449676

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
角田 弘昭

角田 弘昭 について

, 
原 徹

原 徹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

, 
中部東芝エンジニアリング株式会社

中部東芝エンジニアリング株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-297450
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110822
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 コンタクトホールの形状変化を防止することにより、コンタクト不良を抑制し、高信頼性の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板10上に、メモリセルトランジスタ、選択トランジスタ、及び周辺トランジスタを形成した後、全面にBPSG膜23、39を形成する。その後、BPSG膜23、39内に、選択トランジスタの不純物拡散層19及びセレクトゲートシャント部の多結晶シリコン膜15に達するコンタクトホール27、29を形成する。そして、このコンタクトホール27、29内を多結晶シリコン膜により埋め込むことで、熱処理の際に生じるBPSG膜23、39のリフローによるコンタクトホール形状の異常の発生を防止することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成された第1導電膜と、前記第1導電膜上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成された第2導電膜との積層構造を有し、前記第1、第2導電膜がそれぞれ浮遊ゲート、制御ゲートとして機能するメモリセルトランジスタと、前記第1絶縁膜、前記第1導電膜、前記第2絶縁膜、及び前記第2導電膜の積層構造を有し、前記第1導電膜がゲート電極として機能する周辺トランジスタと、前記メモリセルトランジスタ及び周辺トランジスタを被覆するようにして設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通して前記周辺トランジスタの前記第1導電膜に達する第1コンタクトホールと、前記第1コンタクトホール内に埋め込み形成され、導電性を有し且つ前記層間絶縁膜より溶融温度が高い、補強用の第1コンタクトプラグとを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 371
Fターム (92件)：
5F001AA02 ,  5F001AA43 ,  5F001AA63 ,  5F001AB08 ,  5F001AD12 ,  5F001AD19 ,  5F001AD41 ,  5F001AD53 ,  5F001AD60 ,  5F001AG02 ,  5F001AG07 ,  5F001AG10 ,  5F001AG28 ,  5F001AG40 ,  5F033HH04 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033VV16 ,  5F033XX02 ,  5F083EP13 ,  5F083EP23 ,  5F083EP32 ,  5F083EP54 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP76 ,  5F083ER22 ,  5F083GA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083MA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR07 ,  5F083PR12 ,  5F083PR29 ,  5F083PR38 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F101BA02 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD10 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH03 ,  5F101BH13 ,  5F101BH14 ,  5F101BH19 ,  5F101BH21
引用特許：
審査官引用 (2件)

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