特許

J-GLOBAL ID：200903077837083204

半導体装置の製造方法

発明者： 小池 正浩 ,  安田 直樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002408
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204512
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 膜厚の厚い熱窒化膜等の形成を可能とする。【解決手段】 シリコン領域4を有する下地基板上にアモルファスシリコン層1を形成する工程と、このアモルファスシリコン層1を熱窒化して熱窒化膜2を形成する工程とを有する。熱窒化の代わりに熱酸窒化を行うことにより熱酸窒化膜を形成するようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

下地基板上にアモルファスシリコン層を形成する工程と、このアモルファスシリコン層を熱窒化又は熱酸窒化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 21/316 C ,  H01L 27/12 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-311957   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭54-161274
  
• 特開昭59-213606
  
• 特開昭63-096927