気相成長方法及びその装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284234
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124859
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】水平型気相成長装置を用いて基板表面に薄膜を形成するに際し、基板表面近傍の混合ガスの材料ガス濃度やドーパント濃度の分布を反応容器の幅方向で適宜に調整することにより、前記薄膜の厚さや、抵抗率の分布を所望のものとする。【構成】反応容器1の上流側ガス供給口(キャリアガス32の供給口:12,13,14)から所定距離L(cm)だけ下流側に離れた位置、すなわちキャリアガス32の渦34が発生する領域の下流側に、複数の下流側ガス供給口(原料ガス31の供給口:17,18,19)を反応容器の幅方向に複数並列に形成する。距離Lは、反応容器の内部高さH(cm)の1.8倍に1.0cmを加えた値と等しくするか、または、好ましくはこれより大きい値に設定する。複数の下流側ガス供給口のそれぞれから供給する原料ガスの流量または濃度を適宜に調整する。

請求項（抜粋）：

一端部に半導体結晶基板の搬送口を、他端部にガス排出口をそれぞれ備えた反応容器を水平方向に設け、該反応容器内に水平に配置した半導体結晶基板に対して原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを水平方向に流して、前記半導体結晶基板上に薄膜を気相成長させる気相成長方法において、前記半導体結晶基板の搬送口に近接する位置からキャリアガスを供給し、該キャリアガスの流入により反応容器内に渦が発生する領域よりも下流側から、前記反応容器の幅方向に対して濃度分布を調整した原料ガスを供給し、該原料ガスの供給口よりも下流側に半導体結晶基板を載置して薄膜を気相成長させることを特徴とする気相成長方法。

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