特許

J-GLOBAL ID：200903077857416358

不揮発性記憶装置及びその製造方法

発明者： 清利 正弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-131354
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283514
出願日： 2008年05月19日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】良好な電気接続を有するとともに加工が容易な多層型の不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】複数の単位メモリ層を積み重ねた不揮発性記憶装置であって、前記単位メモリ層のそれぞれは、第1の方向に延在する第1配線と、前記第1の方向に対して非平行な第2の方向に延在する第2配線と、前記第1の配線と第2の配線との間に設けられた記録層と、を有し、前記複数の単位メモリ層のいずれかが有する前記第1及び前記第2配線のいずれかの配線は、前記複数の単位メモリ層の他のいずれかが有する前記第1及び第2配線のうちで前記いずれかの配線と平行な方向に延在する配線よりも、前記第1及び前記第2の方向を含む第1面の面内において前記いずれかの配線の延在方向に対して非平行な第3の方向に突出し、前記第1面に対して非平行な方向に延在する層間接続体に接続された接続部を有することを特徴とする不揮発性記憶装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の単位メモリ層を積み重ねた不揮発性記憶装置であって、 前記単位メモリ層のそれぞれは、 第1の方向に延在する第1配線と、 前記第1の方向に対して非平行な第2の方向に延在する第2配線と、 前記第1の配線と第2の配線との間に設けられた記録層と、 を有し、 前記複数の単位メモリ層のいずれかが有する前記第1及び前記第2配線のいずれかの配線は、前記複数の単位メモリ層の他のいずれかが有する前記第1及び第2配線のうちで前記いずれかの配線と平行な方向に延在する配線よりも、前記第1及び前記第2の方向を含む第1面の面内において前記いずれかの配線の延在方向に対して非平行な第3の方向に突出し、前記第1面に対して非平行な方向に延在する層間接続体に接続された接続部を有することを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 448

Fターム (14件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 多層抵抗変化素子アレイ、抵抗変化装置、多層不揮発性記憶素子アレイ、及び不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-105868   出願人：松下電器産業株式会社