多層抵抗変化素子アレイ、抵抗変化装置、多層不揮発性記憶素子アレイ、及び不揮発性記憶装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：角田嘉宏 , 古川安航 , 西谷俊男 , 幅慶司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-105868
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281208
出願日： 2006年04月07日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】アクセス機構が簡素でアクセス速度が速い、多層抵抗変化素子アレイ、抵抗変化装置、多層不揮発性記憶素子アレイ、及び不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】ビット線群層21とワード線群層22とが交互に積層され、ビット線とワード線との各交点に不揮発性記憶体が形成され、全ての第1引き出しプラグ105A及び第2引き出しプラグ105Bは多層不揮発性記憶素子アレイの表面に達するように形成され、アクセス機構25A,25Bは、全ての第1プラグ群23に対し一部の第1プラグ群毎にアクセスしかつ該一部の第1プラグ群の全ての第1引き出しプラグに対し同時に接触及び離隔して該全ての第1引き出しプラグと個々に電気的に導通及び遮断することが可能であり、並びに全ての第2プラグ群24に対し一部の第2プラグ群毎にアクセスしかつ該一部の第2プラグ群の全ての第2引き出しプラグに対し同時に接触及び離隔して該全ての第2引き出しプラグと個々に電気的に導通及び遮断することが可能であるように構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の面上に並ぶように配置されたK個(Kは自然数)の第1電極からなる第1電極群層と、第2の面上に並ぶように配置されたL個(Lは自然数)の第2電極からなる第2電極群層と、電気パルスの印加により電気抵抗値が変化する1以上の抵抗変化体と、前記K個の第1電極にそれぞれ電気的に接続されたK個の第1引き出しプラグからなる第1プラグ群と、前記L個の第2電極にそれぞれ電気的に接続されたL個の第2引き出しプラグからなる第2プラグ群と、アクセス機構と、を備え、前記K個の第1電極と前記L個の第2電極とが積層方向から見て互いにそれぞれ交差するようにして、前記第1電極群層と前記第2電極群層とが互いに間隔を有して交互に合計3以上積層され、前記K個の第1電極と前記L個の第2電極との前記積層方向から見た交点における該第1電極と該第2電極との間に前記抵抗変化体が形成され、合計3以上の前記第1電極群層及び第2電極群層に対応して合計3以上の前記第1プラグ群及び第2プラグ群が形成され、全ての前記第1引き出しプラグ及び前記第2引き出しプラグは多層抵抗変化素子アレイの表面に達するように形成され、前記アクセス機構は、全ての前記第1プラグ群に対し一部の第1プラグ群毎にアクセスしかつ該一部の第1プラグ群の全ての第1引き出しプラグに対し同時に接触及び離隔して該全ての第1引き出しプラグと個々に電気的に導通及び遮断することが可能であり、並びに全ての前記第2プラグ群に対し一部の第2プラグ群毎にアクセスしかつ該一部の第2プラグ群の全ての第2引き出しプラグに対し同時に接触及び離隔して該全ての第2引き出しプラグと個々に電気的に導通及び遮断することが可能であるように構成されている、多層抵抗変化素子アレイ。

IPC (5件)：

H01L 27/10 , G11C 13/00 , H01L 27/105 , H01L 49/00 , H01L 45/00

FI (5件)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A , H01L27/10 448 , H01L49/00 Z , H01L45/00 Z

Fターム (14件)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA10 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083PR23 , 5F083PR40 , 5F083ZA21 , 5F083ZA30

引用特許：

出願人引用 (5件)

電気的消去可能型相転移メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006940 出願人：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド
米国特許第6204139号
特許3030333号公報

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