特許

J-GLOBAL ID：200903077876624328

キャパシタ部品

発明者： 塩賀 健司 ,  柄澤 一明 ,  横内 貴志男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-291146
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100531
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 配線基板とLSIチップとの間に挿入されるインタポーザ型のキャパシタ部品において、薄膜プロセスで形成される高誘電体キャパシタの電極層のシート抵抗を低減し、キャパシタ部品の等価直列抵抗を低減する。【解決手段】 高誘電体キャパシタ電極層の上または下に低抵抗の配線パターンを形成し、かかる低抵抗配線パターンをキャパシタ電極層に、複数の個所で電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

高誘電体キャパシタを有するキャパシタ部品であって、第1のキャパシタ電極層と高誘電体キャパシタ絶縁膜と第2のキャパシタ電極層とを順次積層した構造の高誘電体キャパシタと、前記高誘電体キャパシタ中を貫通する複数のスルーホールと、前記高誘電体キャパシタ上に離間して形成され、前記第1のキャパシタ電極層に複数の個所で電気的に接続された第1の電極と、前記高誘電体キャパシタ上に離間して形成され、前記第2のキャパシタ電極層に複数の個所で電気的に接続された第2の電極とよりなることを特徴とするキャパシタ部品。

IPC (4件)：

H01G 4/33 ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/30 301 ,  H01G 4/30

FI (4件)：

H01G 4/12 394 ,  H01G 4/30 301 B ,  H01G 4/30 301 C ,  H01G 4/06 102

Fターム (37件)：

5E001AB03 ,  5E001AC05 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF02 ,  5E001AF03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E001AJ04 ,  5E001AZ01 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082EE05 ,  5E082EE16 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082EE47 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082GG01 ,  5E082GG11 ,  5E082GG21 ,  5E082HH26 ,  5E082HH47 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ06 ,  5E082JJ15 ,  5E082KK01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜コンデンサ内蔵電子回路基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-017997   出願人：株式会社日立製作所
• コンデンサユニットおよびコンデンサユニット内蔵電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-022789   出願人：株式会社日立製作所
• コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-050249   出願人：京セラ株式会社
• 積層型薄膜コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-351198   出願人：京セラ株式会社