特許
J-GLOBAL ID：200903077876953364

半導体装置及びその製造方法

発明者：
楠本 修

楠本 修 について

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北畠 真

北畠 真 について

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高橋 邦方

高橋 邦方 について

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山下 賢哉

山下 賢哉 について

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宮永 良子

宮永 良子 について

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内田 正雄

内田 正雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  後藤 高志 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-021692
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096061
出願日： 2003年01月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】化合物半導体を用いた半導体装置の製造コストを削減する。【解決手段】蓄積型MISFETは、SiC基板101上にエピタキシャル成長された高抵抗SiC層102と、p型ウェル領域103と、p型ウェル領域103の表面領域に形成された多重δドープ層を有するn型の蓄積チャネル層104と、コンタクト領域105と、ゲート絶縁膜108と、ゲート電極110とを備えている。蓄積チャネル層104は、アンドープ層104bと、量子効果によるアンドープ層104bへのキャリアの浸みだしが可能なδドープ層104aとを交互に積層した構造となっている。また、蓄積チャネル層104及びコンタクト領域105内まで侵入して、コンタクト領域105に直接接触するソース電極111が設けられている。イオン注入より形成されていたソース領域が不要となり、製造コストが低減する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 上記基板上に設けられた化合物半導体からなる活性領域であって、キャリア走行領域として機能する少なくとも1つの第1の半導体層と、上記第1の半導体層よりも高濃度のキャリア用不純物を含み上記第1の半導体層よりも膜厚が薄い少なくとも2つの第2の半導体層とを交互に積層してなる活性領域と、 上記活性領域の表面から上記活性領域内に侵入して少なくとも上記各第2の半導体層に接触する導体材料からなる少なくとも1つの電極と を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (14件)：
H01L21/28 ,  H01L21/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872
FI (13件)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/80 E ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/06 F ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 301B ,  H01L27/04 A ,  H01L29/48 D
Fターム (99件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB10 ,  4M104BB12 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD64 ,  4M104DD68 ,  4M104DD84 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104GG13 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AV01 ,  5F038AV04 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ04 ,  5F038CA02 ,  5F038CA11 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC10 ,  5F048BA04 ,  5F048BA06 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BB19 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F102GA05 ,  5F102GA14 ,  5F102GA15 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GK08 ,  5F102GL02 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GL20 ,  5F102GM02 ,  5F102GM07 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F140AA05 ,  5F140AA25 ,  5F140AA40 ,  5F140AB08 ,  5F140AB09 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA08 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BC12 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG30 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平2-071563
  • 特開昭64-082677
  • 特開昭62-271475
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