特許
J-GLOBAL ID：200903072408506189

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
橋本 孝一

橋本 孝一 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234956
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082663
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】炭化珪素(SiC)半導体装置のオーミック電極を形成する。【解決手段】SiC半導体装置のn型表面にNiをイオン注入し、表面層にアモルファス層を形成した後、その表面上にNiをスパッタ蒸着し、800°Cで熱処理してオーミック電極とした。その接触抵抗として8×10-4Ωcm2 を得た。また、窒素ガスのプラズマ中でプラズマドーピングを行い、表面層にアモルファス層を形成した後、その表面上にNiをスパッタ蒸着し、800°Cで熱処理してオーミック電極とした。その接触抵抗として8×10-4Ωcm2 を得た。
請求項（抜粋）：
イオンの注入により、アモルファス層を形成後、そのアモルファス層上に電極金属を堆積し、熱処理をすることによりオーム性接触の電極を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/265
FI (3件)：
H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/265 Q
引用特許：
審査官引用 (4件)
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