特許
J-GLOBAL ID:200903077880919677

プラズマエッチング用耐エッチング膜被覆シリコン電極板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-312446
公開番号(公開出願番号):特開2006-128281
出願日: 2004年10月27日
公開日(公表日): 2006年05月18日
要約:
【課題】エッチングレートが長時間変化することのない使用寿命の長いプラズマエッチング装置に使用する耐エッチング膜被覆シリコン電極板を提供する。【解決手段】厚さ方向に平行に貫通細孔5が設けられているプラズマエッチング用シリコン電極板2において、前記シリコン電極板2の貫通細孔5内面およびシリコン電極板下面8の貫通細孔開口部周囲に円形状に耐エッチング性被膜11を形成してなるプラズマエッチング用耐エッチング膜被覆シリコン電極板。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
厚さ方向に平行に貫通細孔が設けられているプラズマエッチング用シリコン電極板において、前記シリコン電極板の貫通細孔内面およびシリコン電極板下面の貫通細孔開口部周囲に円形状に耐エッチング膜を形成してなることを特徴とするプラズマエッチング用耐エッチング膜被覆シリコン電極板。
IPC (1件):
H01L 21/306
FI (1件):
H01L21/302 101L
Fターム (9件):
5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03
引用特許:
出願人引用 (1件)

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