特許

J-GLOBAL ID：200903077931419526

半導体チップとその製造方法

発明者： 新田 康一 ,  岡崎 浩彦 ,  渡辺 幸雄 ,  石松 純夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180913
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027769
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 サファイア基板表面に窒化ガリウム系化合物半導体層を有する半導体チップの作製方法において、基板をチップごとに分離する工程の歩留まりを改善する。【解決手段】 サファイア基板表面に、窒化ガリウム系化合物半導体層を有する半導体チップの製造方法において、前記サファイア基板裏面に、ドライエッチング法を用いて分離溝を形成する工程と、前記サファイア基板を前記分離溝で複数のチップに分離するチップ分離工程とを有する。分離溝にスクライブラインを引いて、この後に基板を分離しても良い。ドライエッチング法を用いるため、歩留まりのよい溝加工を行うことができる。また、基板分離箇所の基板の厚みを薄くできるので、基板の分離が容易となり、チップ分離工程の歩留まりを改善することができる。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体層を有する半導体チップの製造方法において、前記サファイア基板裏面に、ドライエッチング法を用いて分離溝を形成する工程と、前記サファイア基板を前記分離溝でチップごとに分離するチップ分離工程とを有する半導体チップの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 27/12 S ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/78 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-172042   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開昭57-049252
  
• 特開昭55-075236