特許
J-GLOBAL ID：200903077932760353
高電子移動度トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228409
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086573
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】逆HEMT構造において高い電子移動度を有する高電子移動度トランジスタを得る。【構成】化合物半導体基板7上に積層した半導体層における半導体チャネル層3中に、有効質量が小さい半導体薄膜層8を設ける。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に、半導体バッファ層を介して、半導体キャリア供給層と半導体スペーサ層と半導体チャネル層と半導体ゲートコンタクト層とを、順次積層した高電子移動度トランジスタにおいて、上記半導体チャネル層中に有効質量が小さい半導体薄膜層を設けたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
