エッチング装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木田茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052420
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263192
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】真空チャンバ内でプラズマを用いたエッチング現象を利用して基板をエッチングするエッチング装置において、低圧力で基板上に均一で高密度のプラズマを形成してマイクロローディング効果やチャージアップダメージを抑えて高均一で高速のエッチングができるようにすること。【構成】基板電極に対して磁気中性線の位置及び(または)形状を任意に変えることができるような磁場発生手段、基板上の磁場を均一にさせる磁場矯正手段及び磁気中性線に放電プラズマを発生させる電場発生手段とで構成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

筒形で側面が誘電体の真空チャンバ内でプラズマを利用したエッチング現象により基板をエッチングするエッチング装置において、真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するようにした磁場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバ内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生する電場発生手段と、形成される磁気中性線の作る面と平行して離れた位置に設けられた基板電極とを有することを特徴とするエッチング装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/302 C , H01L 21/302 B , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特表平4-505684
特開平1-184827
プラズマエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-064989 出願人：日本電信電話株式会社, 国際電気株式会社

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