特許
J-GLOBAL ID：200903077936874230
化学機械研磨ストッパー、その製造方法および化学機械研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-354528
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186611
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】半導体装置の製造における配線パターンが設けられたウェハの化学機械研磨において、SiO2、フッ素ドープSiO2、有機・無機SOG(Spin-on glass)材料などからなる層間絶縁膜をCMP処理によるダメージから保護する。【解決手段】絶縁膜上に形成された金属膜を研磨液を用いて除去する際に、前記絶縁膜と前記金属膜との間にポリカルボシランからなる化学機械研磨ストッパーを設けることを特徴とする化学機械研磨方法およびポリカルボシランからなる化学機械研磨ストッパー。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
有機ケイ素ポリマーからなることを特徴とする化学機械研磨ストッパー。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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