特許
J-GLOBAL ID：200903077939967255

高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハ

発明者：
高野 和人

高野 和人 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-434297
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191477
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】MOVPE法で成長した、窒素を主に含む化合物半導体では特性を出しにくいプレーナードープ技術に代わり、高キャリア濃度の薄層を挿入することにより、均一ドープやプレーナードープよりさらに電気的特性の優れたHEMT用エピタキシャルウェハを実現すること。【解決手段】MOVPE法により、基板1上に、チャネル層3として高純度GaN層もしくはInGaN層を形成し、さらに電子供給層4としてAlGaN層を形成したHEMT用エピタキシャルウェハにおいて、前記電子供給層4の一部分6をドーピング制御により1×1019cm-3以上の高いキャリア濃度を持つ層とし、さらに前記電子供給層4の残りの部分5、7をそれよりも低いキャリア濃度を持つ層とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
MOVPE法により、基板上に、チャネル層として高純度GaN層もしくはInGaN層を形成し、さらに電子供給層としてAlGaN層を形成した高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、 前記電子供給層の一部分をドーピング制御により1×1019cm-3以上の高いキャリア濃度を持つ高キャリア濃度層とし、さらに前記電子供給層における高キャリア濃度層以外の部分を高キャリア濃度層よりも低いキャリア濃度を持つ低キャリア濃度層としたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハ。
IPC (4件)：
H01L21/338 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/203
Fターム (9件)：
5F102GB01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM09 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (1件)

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