特許

J-GLOBAL ID：200903086549110891

ドライエッチング方法

発明者： 山田 篤志 ,  菅原 岳 ,  横川 俊哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-026280
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229413
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチングにおけるエッチングストップ層の開発が切望されている。また、ドライエッチング工程ではエッチングされた面にダメージが入ることがあり、これが素子の特性を劣化させる原因となっていることがあり、ダメージの無いあるいは少ないドライエッチング方法の開発が望まれている。【解決手段】 窒化物半導体においてInを含む層をエッチングストップ層として用い、塩素系のガスを含むエッチングガスによりドライエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体においてInを含む層をエッチングストップ層として用い、塩素系のガスを含むエッチングガスによりドライエッチングを行うことを特徴とする窒化物半導体のドライエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/302 A ,  H01L 29/80 H

Fターム (40件)：

5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EA34 ,  5F004FA07 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GT03 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体のパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-130895   出願人：日本電気株式会社
• III族窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-055970   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-029977   出願人：富士通株式会社
• ドライエッチング方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-026279   出願人：松下電器産業株式会社