特許

J-GLOBAL ID：200903077950108930

アクティブマトリクス基板およびその製造方法

発明者： 片山 幹雄 ,  近藤 直文 ,  岡本 昌也 ,  中沢 清 ,  宮後 誠 ,  片岡 義晴
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230554
公開番号（公開出願番号）：特開平6-082818
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 絵素駆動用TFTと表示部駆動用TFTを、同一基板上に備えた高性能な液晶表示装置を安価に提供する。【構成】 ガラス基板101上に、表示部分102、走査線駆動部分103、信号線駆動部分104を備えた液晶表示装置において、絵素駆動用TFT107はa-Si TFTであり、走査線および信号線を駆動させる表示部駆動用TFTはa-Si TFTを加熱アニール処理して形成したp-Si TFTまたはc-Si TFTとされている。a-Si TFTにおいては、作製が容易であり、p-Si TFTおよびc-Si TFTにおいては、電界効果移動度が優れている。各性能の長所を活かして、同一基板上に、同一の製造プロセスにより形成することで、安価で高性能なアクティブマトリクス表示装置が得られる。

請求項（抜粋）：

同一基板上に、少なくとも表示用絵素電極、表示用薄膜トランジスタ、走査線および信号線からなる表示部と、該表示部を駆動する1または2以上の駆動回路とが並設され、該駆動回路が駆動用薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス基板において、該表示用薄膜トランジスタおよび該駆動用薄膜トランジスタが、共に半導体層を有して構成され、表示用薄膜トランジスタの半導体層が非晶質シリコンからなり、駆動用薄膜トランジスタの半導体層が多結晶シリコンまたは結晶シリコンからなるアクティブマトリクス基板。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1345

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-184424
  
• 特開昭63-011989
  
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-193720   出願人：株式会社日立製作所